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FDS9945L86Z

更新时间： 2024-11-24 14:33:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 242K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS9945L86Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS9945L86Z 数据手册

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February 2001  
FDS9945  
60V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
· 3.5 A, 60 V. RDS(ON) = 0.100W @ VGS = 10 V  
These N Channel Logic Level MOSFET have been  
designed specifically to improve the overall efficiency of  
DC/DC converters using either synchronous or  
conventional switching PWM controllers.  
RDS(ON) = 0.200W @ VGS = 4.5V  
· Optimized for use in switching DC/DC converters  
with PWM controllers  
The MOSFET feature faster switching and lower gate  
charge than other MOSFET with comparable RDS(on)  
specifications.  
· Very fast switching  
· Low gate charge.  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive  
(even at very high frequencies), and DC/DC power  
supply designs with higher overall efficiency.  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
SO-8  
S1  
G2
S2  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
60  
V
V
A
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
±20  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
3.5  
10  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2
1.6  
W
1.0  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
RqJA  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
(Note 1)  
78 (steady state), 50 (10 sec)  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
135  
40  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS9945  
FDS9945  
13’’  
12mm  
2500 units  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS9945 Rev B(W)  
12345678

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