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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDS9936A
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FDS9936A

更新时间： 2024-11-23 22:22:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 418K
描述
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDS9936A 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.86
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.5 A最大漏极电流 (ID)：5.5 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS9936A 数据手册

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May 1998  
FDS9936A  
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high  
cell density, DMOS technology. This very high density  
process is especially tailored to provide superior switching  
performance and minimize on-state resistance. These devices  
are particularly suited for low voltage applications such as disk  
drive motor control, battery powered circuits where fast  
switching, low in-line power loss, and resistance to transients  
are needed.  
5.5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.040 W @ VGS = 10 V,  
RDS(ON) = 0.060 W @ VGS = 4.5 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely  
used surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package  
SuperSOTTM-6  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
SO-8  
SOT-223  
D2  
5
6
7
8
4
D2  
D1  
3
2
D1  
G2  
S2  
1
G1  
pin  
1
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted  
Symbol Parameter  
FDS9936A  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
±20  
V
A
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
5.5  
20  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
FDS9936A Rev.B  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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FDS9936A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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