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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7304TRPBF
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IRF7304TRPBF

更新时间： 2024-09-29 12:32:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管PC
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9页 242K
描述
Generation V Technology

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IRF7304TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：0.77
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：854244Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：IRF7304TRPBFSamacsys Released Date：2019-05-05 11:56:02
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：3.6 A最大漏源导通电阻：0.09 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7304TRPBF 数据手册

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PD - 95038  
IRF7304PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual P-Channel Mosfet  
l Surface Mount  
l Available in Tape & Reel  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
1
2
3
4
8
7
D1  
S1  
G1  
VDSS = -20V  
D1  
6
5
S2  
D2  
D2  
G2  
R
DS(on) = 0.090Ω  
l Lead-Free  
Top View  
Description  
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing  
techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an  
extremely efficient device for use in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced  
thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of  
power applications. With these improvements, multiple devices can be used in  
an application with dramatically reduced board space. The package is designed  
for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation of  
greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
10 Sec. Pulsed Drain Current, VGS @ -4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Pulsed Drain Current   
-4.7  
-4.3  
-3.4  
-17  
A
W
W/°C  
V
PD@TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.0  
Linear Derating Factor  
0.016  
±12  
-5.0  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
dv/dt  
TJ,TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
V/ns  
°C  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient„  
–––  
62.5  
°C/W  
10/6/04  
1234567...9

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IRF7304TRPBF 替代型号

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