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IPB042N10N3GE8187ATMA1

更新时间： 2024-09-15 21:10:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	927K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3

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IPB042N10N3GE8187ATMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
雪崩能效等级（Eas）：	340 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0042 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPB042N10N3GE8187ATMA1 数据手册

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IPB042N10N3ꢀG

MOSFET

OptiMOS^ª3ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV

D²PAK

Features

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀ175ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplication

•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

V_DS

100

Gate

Pin 1

R_DS(on),max

I_D

4.2

mΩ

Source

Pin 3

137

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPB042N10N3 G

PG-TO 263-3

042N10N

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.9,ꢀꢀ2017-07-17

12 3 4 5 6 7...10

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