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IPB043N10NF2S

更新时间： 2024-11-07 11:15:51

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英飞凌 - INFINEON		/
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11页	1163K
描述
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V features low RDS(on) of 4.3 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

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IPB043N10NF2S 数据手册

IPB043N10NF2S

MOSFET

StrongIRFET^TMꢀ2ꢀPower-Transistor

D²PAK

Features

tab

•ꢀOptimizedꢀforꢀaꢀwideꢀrangeꢀofꢀapplications

•ꢀN-Channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Productꢀvalidation

QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard

Drain

Pin 2, Tab

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

100

4.35

135

Unit

Gate

Pin 1

V_DS

R_DS(on),max

I_D

mΩ

Source

Pin 3

Q_oss

Q_G

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPB043N10NF2S

PG-TO263-3

043N10NS

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-09-23

12 3 4 5 6 7...11

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