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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.32 | 其他特性： | ESD PROTECTED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.026 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.4 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMC3300NZA_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specif |
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| FDMC3612 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET |
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| FDMC3612 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，100V，12A，110mΩ |
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| FDMC3612 | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| FDMC3612 (KDMC3612) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| FDMC3612-L701 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 12A, 110 |
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| FDMC4435BZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Power Trench㈢ MOSFET -30V, -18A, 20 |
|
| FDMC4435BZ | ONSEMI |
获取价格 |
-30V P-Channel Power Trench® MOSFET |
|
| FDMC4435BZ-F126 | ONSEMI |
获取价格 |
-30V P-Channel Power Trench® MOSFET |
|
| FDMC4435BZ-F127 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
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