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FDMC5614P

更新时间： 2024-11-20 11:11:15

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		PC 开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	183K
描述
P 沟道 Power Trench® MOSFET -60V，-13.5A，100mΩ

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FDMC5614P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	10 weeks	风险等级：	0.96
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	985587	Samacsys Pin Count：	9
Samacsys Part Category：	MOSFET (P-Channel)	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	FDMC5614P-2	Samacsys Released Date：	2020-03-07 22:22:31
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.7 A	最大漏极电流 (ID)：	5.7 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-F5	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	6 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	23 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDMC5614P 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

Pin 1

MOSFET – P-Channel,

POWERTRENCH⁾

-60 V, -13.5 A, 100 mW

FDMC5614P,

FDMC5614P-L701

Bottom

Top

WDFN8 3.3x3.3, 0.65P

CASE 511DQ

General Description

FDMC5614P, FDMC5614P−L701

This P−Channel MOSFET is a rugged gate version of onsemi’s

advanced POWERTRENCH process. It has been optimized for power

management applications requiring a wide range of gate drive voltage

ratings (4.5 V − 20 V).

MARKING DIAGRAM

Features

$Y&Z&2&K

FDMC

5614P

• Max r

= 100 mW at V = −10 V, I = −5.7 A

GS D

DS(on)

= 135 mW at V = −4.5 V, I = −4.4 A

• Low Gate Charge

• Fast Switching Speed

FDMC

5614P

= Logo

• High Performance Trench Technology for Extremely Low r

• High Power and Current Handling Capability

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

DS(on)

= Assembly Location

= Date Code (Year and Week)

= Lot Run Traceability Code

= Specific Device Code

Applications

• Power Management

• Load Switch

• Battery Protection

PIN ASSIGNMENT

P−Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 6 of

this data sheet.

Publication Order Number:

January, 2022 − Rev. 4

FDMC5614P/D

12 3 4 5 6 7

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与FDMC5614P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDMC610P	ONSEMI	获取价格	P 沟道 PowerTrench® MOSFET -12V，-80A，3.9mΩ
FDMC612PZ	ONSEMI	获取价格	P 沟道 PowerTrench® MOSFET -20V，-14A，8.4mΩ
FDMC6296	FAIRCHILD	获取价格	30V Single N-Channel Logic-Level Power Trench® MOSFET, 8LD,MLP,DUAL, 3.3MM SQUARE,
FDMC6296	ROCHESTER	获取价格	11500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, MLP, 8
FDMC6675BZ	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Power Trench® MOSFET -30 V, -20 A,
FDMC6675BZ	ONSEMI	获取价格	P 沟道 Power Trench® MOSFET -30V，-20A，14.4mΩ
FDMC6679AZ	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -20 A, 1
FDMC6679AZ	ONSEMI	获取价格	P 沟道，Power Trench® MOSFET，-30V，-20A，10mΩ
FDMC6683PZ	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
FDMC6683PZ	ONSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me

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