是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | MLP |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.68 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 37 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 54 A |
最大漏极电流 (ID): | 12 A | 最大漏源导通电阻: | 0.008 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | S-PDSO-N5 |
JESD-609代码: | e4 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 41 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 50 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI7123DN-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMC510P-F106 | ONSEMI |
获取价格 |
-20V P沟道PowerTrench® MOSFET | |
FDMC510P-T | ONSEMI |
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-20V P沟道PowerTrench® MOSFET | |
FDMC5614P | FAIRCHILD |
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P-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDMC5614P | ONSEMI |
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P 沟道 Power Trench® MOSFET -60V,-13.5A,100mΩ | |
FDMC610P | ONSEMI |
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P 沟道 PowerTrench® MOSFET -12V,-80A,3.9mΩ | |
FDMC612PZ | ONSEMI |
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P 沟道 PowerTrench® MOSFET -20V,-14A,8.4mΩ | |
FDMC6296 | FAIRCHILD |
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30V Single N-Channel Logic-Level Power Trench® MOSFET, 8LD,MLP,DUAL, 3.3MM SQUARE, | |
FDMC6296 | ROCHESTER |
获取价格 |
11500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, MLP, 8 | |
FDMC6675BZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Power Trench® MOSFET -30 V, -20 A, | |
FDMC6675BZ | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道 Power Trench® MOSFET -30V,-20A,14.4mΩ |