是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, MLP, 8 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 23 weeks | 风险等级: | 0.95 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | ULTRA-LOW RESISTANCE |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 40 A |
最大漏极电流 (ID): | 9.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0144 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | S-PDSO-N5 |
JESD-609代码: | e4 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 36 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 32 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMC6679AZ | FAIRCHILD |
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P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -20 A, 1 | |
FDMC6679AZ | ONSEMI |
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P 沟道,Power Trench® MOSFET,-30V,-20A,10mΩ | |
FDMC6683PZ | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
FDMC6683PZ | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
FDMC6686P | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20V,-56A,4mΩ | |
FDMC6688P | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20V,-56A,6.5mΩ | |
FDMC6890NZ | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDMC6890NZ | ONSEMI |
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20V双N沟道PowerTrench® MOSFET | |
FDMC7200 | ONSEMI |
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双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,12mΩ 和 23.5mΩ | |
FDMC7200S | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,22mΩ,10mΩ |