5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDMC6683PZ
FDMC6683PZ PDF预览

FDMC6683PZ

更新时间： 2024-09-15 21:10:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 267K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDMC6683PZ 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.7
雪崩能效等级（Eas）：38 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.0084 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240BA
JESD-30 代码：S-PDSO-N5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC6683PZ 数据手册

 浏览型号FDMC6683PZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDMC6683PZ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDMC6683PZ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDMC6683PZ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDMC6683PZ的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDMC6683PZ的Datasheet PDF文件第7页 
September 2013  
FDMC6683PZ  
P-Channel PowerTrench® MOSFET  
-20 V, -14 A, 8.4 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 8.4 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -14 A  
„ Max rDS(on) = 13 mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -11 A  
„ High performance trench technology for extremely low rDS(on)  
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has  
been optimized for rDS(ON)  
ruggedness.  
,
switching performance and  
„ High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package  
Applications  
„ Termination is Lead-free and RoHS Compliant  
„ Battery Management  
„ Load Switch  
„ HBM ESD capability level > 3.6 KV typical (Note 4)  
D D  
D
D
8
2
7
6
5
S
S
D
D
Pin 1  
S
D
D
G S  
S
S
1
3
4
Pin 1  
G
Bottom  
Top  
MLP 3.3x3.3  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Continuous  
-20  
±12  
V
V
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
-40  
ID  
(Note 1a)  
(Note 3)  
-14  
A
-Pulsed  
-50  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
38  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
26  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
4.9  
53  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
Quantity  
22BK  
FDMC6683PZ  
MLP 3.3X3.3  
12 mm  
3000 units  
©2013 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC6683PZ Rev.C3  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567

中文翻译

下载PDF

与FDMC6683PZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC6686P ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-56A，4mΩ
FDMC6688P ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-56A，6.5mΩ
FDMC6890NZ FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMC6890NZ ONSEMI

获取价格

 		20V双N沟道PowerTrench® MOSFET
FDMC7200 ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，12mΩ 和 23.5mΩ
FDMC7200S ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，22mΩ，10mΩ
FDMC7208S ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V
FDMC7208S_12 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Q1: 30 V,
FDMC7570S FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Power Trench® SyncFET 25 V, 40 A, 2
FDMC7570S ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 Power Trench® SyncFET™ 25V，40A，2mΩ

与FDMC6683PZ相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证