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FDMC6683PZ

更新时间： 2024-11-17 21:10:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 267K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA

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FDMC6683PZ 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.7
雪崩能效等级（Eas）：38 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.0084 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240BA
JESD-30 代码：S-PDSO-N5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC6683PZ 数据手册

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September 2013  
FDMC6683PZ  
P-Channel PowerTrench® MOSFET  
-20 V, -14 A, 8.4 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 8.4 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -14 A  
„ Max rDS(on) = 13 mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -11 A  
„ High performance trench technology for extremely low rDS(on)  
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has  
been optimized for rDS(ON)  
ruggedness.  
,
switching performance and  
„ High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package  
Applications  
„ Termination is Lead-free and RoHS Compliant  
„ Battery Management  
„ Load Switch  
„ HBM ESD capability level > 3.6 KV typical (Note 4)  
D D  
D
D
8
2
7
6
5
S
S
D
D
Pin 1  
S
D
D
G S  
S
S
1
3
4
Pin 1  
G
Bottom  
Top  
MLP 3.3x3.3  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Continuous  
-20  
±12  
V
V
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
-40  
ID  
(Note 1a)  
(Note 3)  
-14  
A
-Pulsed  
-50  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
38  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
26  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
4.9  
53  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
Quantity  
22BK  
FDMC6683PZ  
MLP 3.3X3.3  
12 mm  
3000 units  
©2013 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC6683PZ Rev.C3  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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