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FDMC6296 PDF预览

FDMC6296

更新时间： 2024-09-15 19:44:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 251K
描述
30V Single N-Channel Logic-Level Power Trench® MOSFET, 8LD,MLP,DUAL, 3.3MM SQUARE, 3000/TAPE REEL

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FDMC6296 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MLP
包装说明：3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, MLP, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.36
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.5 A
最大漏极电流 (ID)：11.5 A最大漏源导通电阻：0.0105 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：225 pF
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC6296 数据手册

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November 2010  
FDMC6296  
Single N-Channel Logic-Level Power Trench® MOSFET  
30 V, 11.5 A, 10.5 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 10.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 11.5 A  
„ Max rDS(on) = 15 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 10 A  
„ Low Qg, Qgd and Rg for efficient switching performance  
„ RoHS Compliant  
This single N-Channel MOSFET in the thermally efficient  
MicroFET Package has been specifically designed to perform  
well in Point of Load converters. Providing an optimized balance  
between rDS(on) and gate charge this device can be effectively  
used as a “high side” control swtich or “low side” synchronous  
rectifier.  
Application  
„ Point of Load Converters  
„ 1/16 Brick Synchronous Rectifier  
Bottom  
Top  
Pin 1  
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
D
5
6
7
8
G
S
S
S
D
D
D
D
MLP 3.3X3.3  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
A
±20  
-Continuous  
-Pulsed  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
11.5  
ID  
40  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
2.1  
PD  
W
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1)  
3
°C/W  
(Note 1a)  
53  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMC6296  
FDMC6296  
MLP 3.3X3.3  
3000 units  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC6296 Rev. C2  
www.fairchildsemi.com  
1
1234567

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