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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, MLP, 8 PIN |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0105 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 225 pF | JESD-30 代码： | S-PDSO-N5 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMC6675BZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Power Trench® MOSFET -30 V, -20 A, |
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| FDMC6675BZ | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道 Power Trench® MOSFET -30V，-20A，14.4mΩ |
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| FDMC6679AZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -20 A, 1 |
|
| FDMC6679AZ | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，Power Trench® MOSFET，-30V，-20A，10mΩ |
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| FDMC6683PZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| FDMC6683PZ | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| FDMC6686P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-56A，4mΩ |
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| FDMC6688P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-56A，6.5mΩ |
|
| FDMC6890NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDMC6890NZ | ONSEMI |
获取价格 |
20V双N沟道PowerTrench® MOSFET |
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