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FDMC4435BZ

更新时间： 2024-11-20 11:10:23

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	591K
描述
-30V P-Channel Power Trench® MOSFET

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FDMC4435BZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	23 weeks	风险等级：	0.94
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	24 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	31 A
最大漏极电流 (ID)：	8.5 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-N5
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	31 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDMC4435BZ 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

MOSFET – P-Channel,

POWERTRENCH⁾

-30 V, -18 A, 20 mW

Top

Bottom

WDFN8 3.3x3.3, 0.65P

CASE 511DR

FMDC4435BZ/FDMC4435BZ−F127

FDMC4435BZ,

FDMC4435BZ-F127,

FDMC4435BZ-F127-L701

Pin 1

General Description

This P−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced

POWERTRENCH process that has been especially tailored to

minimize the on−state resistance. This device is well suited for Power

Management and load switching applications common in Notebook

Computers and Portable Battery Packs.

Bottom

Top

WDFN8 3.3x3.3, 0.65P

CASE 511DQ

(Option A)

FDMC4435BZ−F127−L701

Features

 Max r

= 20 mW at V = −10 V, I = −8.5 A

GS D

DS(on)

MARKING DIAGRAM

= 37 mW at V = −4.5 V, I = −6.3 A

 Extended V

Range (−25 V) for Battery Applications

GSS

FDMC

4435BZ

ALYW

ON AXYKK

FDMC

 High Performance Trench Technology for Extremely Low r

 High Power and Current Handling Capability

 HBM ESD Protection Level > 7 kV Typical*

 100% UIL Tested

DS(on)

4435BZ

FDMC4435BZ/

FDMC4435BZ−F127

FDMC4435BZ−F127−L701

 These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

FDMC4435BZ = Specific Device Code

= Assembly Location

= 2−Digit Date Code

= 2−Digit Lot Run Traceability Code

= Wafer Lot Number

Applications

 High Side in DC − DC Buck Converters

 Notebook Battery Power Management

 Load Switch in Notebook

= Assembly Start Week

PIN ASSIGNMENT

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 6 of

this data sheet.

*The diode connected between the gate and source servers only as protection

against ESD. No gate overvoltage rating is implied.

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2010

Publication Order Number:

February, 2023 − Rev. 5

FDMC4435BZ/D

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FDMC4435BZ-F127	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDMC4435BZ-F127	ONSEMI	获取价格	-30V P-Channel Power Trench® MOSFET
FDMC4D9P20X8	ONSEMI	获取价格	P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-75A，4.9mΩ
FDMC510P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel PowerTrench MOSFET
FDMC510P	ONSEMI	获取价格	-20V P沟道PowerTrench® MOSFET
FDMC510P-F106	ONSEMI	获取价格	-20V P沟道PowerTrench® MOSFET
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FDMC5614P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel PowerTrench MOSFET
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