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FDMC510P PDF预览

FDMC510P

更新时间： 2024-11-06 11:14:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 180K
描述
-20V P沟道PowerTrench® MOSFET

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FDMC510P 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：23 weeks风险等级：0.91
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：37 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：1110 pF
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：41 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：812 ns最大开启时间（吨）：82 ns
Base Number Matches：1

FDMC510P 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – P-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
r
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(on)  
−20 V  
8 mW @ −4.5 V  
9.8 mW @ −2.5 V  
13 mW @ −1.8 V  
17 mW @ −1.5 V  
−18 A  
-20 V, -18 A, 8.0 mW  
FDMC510P  
General Description  
This P−Channel MOSFET is produce using onsemi’s advanced  
®
Pin 1  
POWERTRENCH process that has been optimized for r  
switching performance and ruggedness.  
,
DS(ON)  
G
S
S
S
Features  
D
D
D
D
• Max r  
• Max r  
• Max r  
• Max r  
= 8.0 mW at V = −4.5 V, I = −12 A  
GS D  
DS(on)  
DS(on)  
DS(on)  
DS(on)  
Top  
Bottom  
= 9.8 mW at V = −2.5 V, I = −10 A  
GS  
D
WDFN8 3.3x3.3, 0.65P  
(MLP 3.3x3.3)  
= 13 mW at V = −1.8 V, I = −9.3 A  
GS  
D
= 17 mW at V = −1.5 V, I = −8.3 A  
GS  
D
CASE 511DH  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low r  
DS(on)  
• High Power and Current Handling Capability in a Widely Used  
MARKING DIAGRAM  
Surface Mount Package  
• 100% UIL Tested  
FDMC  
510P  
ALYW  
• HBM ESD Capability Level >2 kV Typical (Note 4)  
• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant  
Applications  
• Battery Management  
• Load Switch  
FDMC510P= Device Code  
A
= Assembly Site  
L
YW  
= Wafer Lot Number  
= Assembly Start Week  
PIN ASSIGNMENT  
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
P−Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 6 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
August, 2022 − Rev. 4  
FDMC510P/D  
12345678

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与FDMC510P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC510P-F106 ONSEMI

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 		-20V P沟道PowerTrench® MOSFET
FDMC510P-T ONSEMI

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 		-20V P沟道PowerTrench® MOSFET
FDMC5614P FAIRCHILD

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 		P-Channel PowerTrench MOSFET
FDMC5614P ONSEMI

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 		P 沟道 Power Trench® MOSFET -60V，-13.5A，100mΩ
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FDMC6296 ROCHESTER

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 		11500mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, MLP, 8
FDMC6675BZ FAIRCHILD

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 		P-Channel Power Trench® MOSFET -30 V, -20 A,
FDMC6675BZ ONSEMI

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 		P 沟道 Power Trench® MOSFET -30V，-20A，14.4mΩ

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