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FDMC4435BZ-F127

更新时间： 2024-11-05 21:22:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 245K
描述
Transistor

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FDMC4435BZ-F127 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：31 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

FDMC4435BZ-F127 数据手册

 浏览型号FDMC4435BZ-F127的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDMC4435BZ-F127的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDMC4435BZ-F127的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDMC4435BZ-F127的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDMC4435BZ-F127的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDMC4435BZ-F127的Datasheet PDF文件第7页 
March 2010  
FDMC4435BZ  
P-Channel Power Trench® MOSFETꢀ  
-30 V, -18 A, 20 mꢁ  
Features  
General Description  
  Max rDS(on) = 20 mꢁ at VGS = -10 V, ID = -8.5 A  
  Max rDS(on) = 37 mꢁ at VGS = -4.5 V, ID = -6.3 A  
  Extended VGSS range (-25 V) for battery applications  
  High performance trench technology for extremely low rDS(on)  
  High power and current handling capability  
  HBM ESD protection level >7 kV typical (Note 4)  
  100% UIL Tested  
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance. This  
device is well suited for Power Management and load  
switching applications common in Notebook Computers and  
Portable Battery Packs.  
Applications  
  High side in DC - DC Buck Converters  
  Notebook battery power management  
  Load switch in Notebook  
  Termination is Lead-free and RoHS Compliant  
Bottom  
Top  
Pin 1  
D
D
D
5
6
7
G
S
4
3
2
G
S
S
S
S
S
D
D
D
D
8
1
D
MLP 3.3x3.3  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
-30  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
25  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
C = 25 °C  
TA = 25 °C  
-18  
-32  
-8.5  
-50  
24  
31  
2.3  
T
ID  
A
(Note 1a)  
(Note 3)  
-Pulsed  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
(Note 1a)  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RꢂJC  
RꢂJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
4
°C/W  
(Note 1a)  
53  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDMC4435BZ  
Device  
FDMC4435BZ  
Package  
MLP 3.3X3.3  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
3000 units  
1
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC4435BZ Rev.D1  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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