是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 20 weeks | 风险等级: | 0.98 |
Samacsys Description: | MOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 56 A | 最大漏极电流 (ID): | 56 A |
最大漏源导通电阻: | 0.004 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 2010 pF | JEDEC-95代码: | MO-240BA |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 40 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 377 A | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 791 ns | 最大开启时间(吨): | 162 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMC6688P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20V,-56A,6.5mΩ | |
FDMC6890NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDMC6890NZ | ONSEMI |
获取价格 |
20V双N沟道PowerTrench® MOSFET | |
FDMC7200 | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,12mΩ 和 23.5mΩ | |
FDMC7200S | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,22mΩ,10mΩ | |
FDMC7208S | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V | |
FDMC7208S_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Q1: 30 V, | |
FDMC7570S | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® SyncFET 25 V, 40 A, 2 | |
FDMC7570S | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 Power Trench® SyncFET™ 25V,40A,2mΩ | |
FDMC7572S | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® SyncFETTM 25 V, 40 A |