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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> BFP193W
BFP193W PDF预览

BFP193W

更新时间： 2024-01-11 01:14:52
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 64K
描述
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers)

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BFP193W 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.28外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.08 A基于收集器的最大容量：0.9 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：8000 MHzBase Number Matches：1

BFP193W 数据手册

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BFP 193W  
NPN Silicon RF Transistor  
• For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz  
• For linear broadband amplifiers  
• f = 8GHz  
T
F = 1.3dB at 900MHz  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
Marking Ordering Code  
Pin Configuration  
Package  
BFP 193W RCs  
Q62702-F1577  
1 = E 2 = C 3 = E 4 = B SOT-343  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
12  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
CEO  
V
CES  
V
CBO  
V
EBO  
V
20  
20  
2
I
I
80  
mA  
mW  
°C  
C
Base current  
10  
B
Total power dissipation  
P
tot  
≤
T
66 °C  
580  
S
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
T
T
150  
j
- 65 ... + 150  
- 65 ... + 150  
A
stg  
Thermal Resistance  
1)  
≤
Junction - soldering point  
R
thJS  
145  
K/W  
1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.  
S
Semiconductor Group  
1
Dec-12-1996  
1234567

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BFP193W 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BFP405 INFINEON

完全替代

 NPN Silicon RF Transistor (For low current applications For oscillators up to 12 GHz)
BFR181W INFINEON

类似代替

 NPN Silicon RF Transistor )For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector curr
BFG196 INFINEON

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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