5秒后页面跳转
BFP196E6327 PDF预览

BFP196E6327

更新时间: 2024-11-11 14:41:07
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 850K
描述
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

BFP196E6327 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.62Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:1.4 pF集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):7500 MHzBase Number Matches:1

BFP196E6327 数据手册

 浏览型号BFP196E6327的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BFP196E6327的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BFP196E6327的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BFP196E6327的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BFP196E6327的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BFP196E6327的Datasheet PDF文件第7页 

与BFP196E6327相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFP196E6327BTSA1 INFINEON

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor,
BFP196E6327HTSA1 INFINEON

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
BFP196-E6433 INFINEON

获取价格

Transistor
BFP196R INFINEON

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMP
BFP196R-E6327 INFINEON

获取价格

Transistor
BFP196R-E6433 INFINEON

获取价格

Transistor
BFP196RE6501HTSA1 INFINEON

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMP
BFP196T ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-143
BFP196TR VISHAY

获取价格

Transistor,
BFP196TW VISHAY

获取价格

Transistor,