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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.62 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 1.4 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 7500 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP196WE6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
|
| BFP196WH6327XTSA1 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMP |
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| BFP196WN | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, |
|
| BFP22 | INFINEON |
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NPN Silicon Transistors (High breakdown voltage l Low collector-emitter saturation voltage |
|
| BFP23 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Transistors (High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage) |
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| BFP25 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Transistors (High breakdown voltage l Low collector-emitter saturation voltage |
|
| BFP26 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Transistors (High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage) |
|
| BFP280 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low-power amplifiers in mobile communication sys |
|
| BFP280E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| BFP280T | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
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