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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | TO-92, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.91 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.83 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP23 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Transistors (High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage) |
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| BFP25 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Transistors (High breakdown voltage l Low collector-emitter saturation voltage |
|
| BFP26 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Transistors (High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage) |
|
| BFP280 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low-power amplifiers in mobile communication sys |
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| BFP280E6327 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| BFP280T | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFP280T-GS08 | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
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| BFP280T-GS18 | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
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| BFP280TRW | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFP280TRW | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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