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BFP25

更新时间： 2024-01-06 10:21:57
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 175K
描述
NPN Silicon Transistors (High breakdown voltage l Low collector-emitter saturation voltage)

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BFP25 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：TO-92, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：70 MHzVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

BFP25 数据手册

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NPN Silicon Transistors  
with High Reverse Voltage  
BFP 22  
BFP 25  
● High breakdown voltage  
● Low collector-emitter saturation voltage  
● Low capacitance  
● Complementary types: BFP 23, BFP 26 (PNP)  
1
2
3
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
BFP 22  
BFP 25  
–
Q62702-F621  
Q62702-F721  
E
B
C
TO-92  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
BFP 22  
Unit  
BFP 25  
300  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
CE0  
CB0  
EB0  
200  
200  
V
V
300  
V
6
I
I
I
I
C
200  
500  
100  
200  
625  
150  
mA  
Peak collector current  
Base current  
CM  
B
Peak base current  
BM  
Total power dissipation, T  
C
=66 ˚C  
Ptot  
mW  
˚C  
Junction temperature  
Tj  
Storage temperature range  
Tstg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient  
Junction - case2)  
R
th JA  
th JC  
≤ 200  
≤ 135  
K/W  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Mounted on Al heat sink 15 mm × 25 mm × 0.5 mm.  
2)  
1234

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