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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.55 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.3 pF | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 7500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP196WN | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, |
|
| BFP22 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Transistors (High breakdown voltage l Low collector-emitter saturation voltage |
|
| BFP23 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Transistors (High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage) |
|
| BFP25 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Transistors (High breakdown voltage l Low collector-emitter saturation voltage |
|
| BFP26 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon Transistors (High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage) |
|
| BFP280 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low-power amplifiers in mobile communication sys |
|
| BFP280E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| BFP280T | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
|
| BFP280T-GS08 | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
|
| BFP280T-GS18 | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
|
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