5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.62 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | S BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 7500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP196TR | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, |
|
| BFP196TW | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, |
|
| BFP196W | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor(For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna an |
|
| BFP196W_07 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
|
| BFP196WE6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
|
| BFP196WE6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| BFP196WE6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
|
| BFP196WH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMP |
|
| BFP196WN | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, |
|
| BFP22 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Transistors (High breakdown voltage l Low collector-emitter saturation voltage |
|
LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
