BFP196R

更新时间： 2024-02-26 06:51:36

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英飞凌 - INFINEON		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管电信光电二极管
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描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BFP196R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.62	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	7500 MHz	Base Number Matches：	1

BFP196R 数据手册

BFP 196

NPN Silicon RF Transistor

• For low noise, low distortion broadband

amplifiers in antenna and telecommunications

systems up to 1.5GHz at collector currents from

20mA to 80mA

• Power amplifier for DECT and PCN systems

• f = 7.5GHz

F = 1.5 dB at 900MHz

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration

Package

BFP 196

RIs

Q62702-F1320

1 = C 2 = E 3 = B 4 = E SOT-143

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

100

°C

Base current

Total power dissipation

tot

≤

77 °C

700

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

≤

Junction - soldering point

thJS

105

K/W

1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.

Semiconductor Group

Dec-13-1996

12 3 4 5 6 7

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