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BFP196WE6327HTSA1

更新时间： 2024-11-11 15:28:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 543K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN

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BFP196WE6327HTSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.6
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：1.4 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：7500 MHz
Base Number Matches：1

BFP196WE6327HTSA1 数据手册

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BFP196W  
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor  
• For low noise, low distortion broadband  
amplifiers in antenna and telecommunications  
systems up to 1.5 GHz at collector currents from  
20 mA to 80 mA  
3
2
1
4
• Power amplifier for DECT and PCN systems  
• f = 7.5 GHz, NF  
= 1.3 dB at 900 MHz  
T
min  
• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package  
with visible leads  
• Qualification report according to AEC-Q101 available  
ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BFP196W  
Marking  
RIs  
Pin Configuration  
1 = E 2 = C 3 = E 4 = B -  
Package  
SOT343  
-
Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
12  
20  
20  
2
150  
15  
700  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
mA  
mW  
°C  
I
C
Base current  
Total power dissipation  
I
B
1)  
P
tot  
T ≤ 69°C  
S
150  
-65 ... 150  
-65 ... 150  
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
J
T
A
T
Stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
115  
Unit  
K/W  
2)  
R
thJS  
1
T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb  
S
2
For the definition of R  
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)  
thJS  
1
2014-04-04  
123456

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与BFP196WE6327HTSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFP196WH6327XTSA1 INFINEON

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMP
BFP196WN INFINEON

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN,
BFP22 INFINEON

获取价格

 		NPN Silicon Transistors (High breakdown voltage l Low collector-emitter saturation voltage
BFP23 INFINEON

获取价格

 		PNP Silicon Transistors (High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage)
BFP25 INFINEON

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