BFP194

更新时间： 2024-01-21 05:42:08

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描述
PNP Silicon RF Transistor (For low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5 GHz at collector currents)

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BFP194 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	2 pF	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

BFP194 数据手册

BFP 194

PNP Silicon RF Transistor

• For low distortion broadband amplifiers in

antenna and telecommunications systems up

to 1.5 GHz at collector currents from 20mA

to 80mA

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration

Package

BFP 194

RKs

Q62702-F1347

1 = C 2 = E 3 = B 4 = E SOT-143

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CBO

EBO

100

°C

Base current

Total power dissipation

tot

T ≤ 77 °C

700

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

thJS

≤ 105

K/W

1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.

Semiconductor Group

Dec-13-1996

12 3 4 5 6 7

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