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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> BFG196
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BFG196

更新时间： 2024-01-28 00:06:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管电信光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 53K
描述
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications)

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BFG196 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.38Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：1.4 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：7500 MHzBase Number Matches：1

BFG196 数据手册

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BFG 196  
NPN Silicon RF Transistor  
• For low noise, low distortion broadband  
amplifiers in antenna and telecommunications  
systems up to 1.5GHz at collector currents from  
20mA to 80mA  
• Power amplifier for DECT and PCN systems  
• f = 7.5GHz  
T
F = 1.5 dB at 900MHz  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
Marking Ordering Code  
Pin Configuration  
Package  
BFG 196  
BFG196 Q62702-F1292  
1 = E 2 = B 3 = E 4 = C SOT-223  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
12  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
20  
20  
2
I
I
100  
12  
mA  
mW  
°C  
C
Base current  
B
Total power dissipation  
P
tot  
≤
T
90 °C  
800  
S
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
T
T
150  
j
- 65 ... + 150  
- 65 ... + 150  
A
stg  
Thermal Resistance  
1)  
Junction - soldering point  
R
≤ 75  
K/W  
thJS  
1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.  
S
Semiconductor Group  
1
Dec-13-1996  
123456

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BFG196 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BFP193W INFINEON

类似代替

 NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broad
BFP405 INFINEON

类似代替

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BFR181W INFINEON

类似代替

 NPN Silicon RF Transistor )For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector curr

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFG196E6327 INFINEON

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BFG197/X-T NXP

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 		TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
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