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BFG198T/R

更新时间: 2024-01-05 01:07:58
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 601K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-223

BFG198T/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-73包装说明:PLASTIC, SC-73, 4 PIN
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.73外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:10 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:1 W
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):8000 MHzBase Number Matches:1

BFG198T/R 数据手册

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