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BFG250W/X

更新时间: 2024-01-09 12:23:32
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 154K
描述
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SOT-343N, 4 PIN, BIP RF Small Signal

BFG250W/X 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84其他特性:LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.07 A
配置:SINGLE最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):9000 MHzBase Number Matches:1

BFG250W/X 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BFG520W; BFG520W/X  
NPN 9 GHz wideband transistors  
1998 Oct 02  
Product specification  
Supersedes data of August 1995  

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