5秒后页面跳转
BFG310/XR,215 PDF预览

BFG310/XR,215

更新时间: 2024-10-01 21:18:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 198K
描述
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-61AA, 4 PIN, BIP RF Small Signal

BFG310/XR,215 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-61AA包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.81
其他特性:LOW NOISE外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.01 A基于收集器的最大容量:0.3 pF
集电极-发射极最大电压:6 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.06 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):14000 MHzBase Number Matches:1

BFG310/XR,215 数据手册

 浏览型号BFG310/XR,215的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BFG310/XR,215的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BFG310/XR,215的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BFG310/XR,215的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BFG310/XR,215的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BFG310/XR,215的Datasheet PDF文件第7页 
BFG310/XR  
NPN 14 GHz wideband transistor  
Rev. 2 — 15 September 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package.  
1.2 Features and benefits  
High power gain  
Low noise figure  
High transition frequency  
Gold metallization ensures excellent reliability  
1.3 Applications  
Intended for Radio Frequency (RF) front end applications in the GHz range, such as:  
analog and digital cellular telephones  
cordless telephones (Cordless Telephone (CT), Personal Communication  
Network (PCN), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), etc.)  
radar detectors  
pagers  
Satellite Antenna TeleVision (SATV) tuners  
repeater amplifiers in fiber-optic systems  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
open emitter  
Min  
Typ  
Max Unit  
VCBO  
VCEO  
IC  
collector-base voltage  
-
-
15  
6
V
collector-emitter voltage open base  
collector current (DC)  
-
-
V
-
-
10  
60  
200  
mA  
mW  
[1]  
Ptot  
total power dissipation  
DC current gain  
Tsp 145 C  
-
-
hFE  
IC = 5 mA; VCE = 3 V;  
60  
100  
Tj = 25 C  
CCBS  
fT  
collector-base  
capacitance  
VCB = 5 V; f = 1 MHz;  
emitter grounded  
-
-
0.17 0.3  
14  
pF  
transition frequency  
IC = 5 mA; VCE = 3 V;  
-
GHz  
f = 1 GHz; Tamb = 25 C  
 
 
 
 
 

与BFG310/XR,215相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFG310_15 JMNIC

获取价格

NPN 14 GHz wideband transistor
BFG310_2015 JMNIC

获取价格

NPN 14 GHz wideband transistor
BFG310W NXP

获取价格

NPN 14 GHz wideband transistor
BFG310W/XR PHILIPS

获取价格

Transistor
BFG310W/XR,115 NXP

获取价格

NPN 14 GHz wideband transistor
BFG310W_15 JMNIC

获取价格

NPN 14 GHz wideband transistor
BFG310W_2015 JMNIC

获取价格

NPN 14 GHz wideband transistor
BFG310W-XR NXP

获取价格

RF Manual 16th edition
BFG310XR NXP

获取价格

NPN 14 GHz wideband transistor
BFG310-XR NXP

获取价格

RF Manual 16th edition