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BFG325/XR,215

更新时间: 2024-10-01 19:55:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 204K
描述
NPN 14 GHz wideband transistor SOT-143 4-Pin

BFG325/XR,215 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-143包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.82其他特性:LOW NOISE
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.035 A
基于收集器的最大容量:0.4 pF集电极-发射极最大电压:6 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.21 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):14000 MHz
Base Number Matches:1

BFG325/XR,215 数据手册

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BFG325/XR  
NPN 14 GHz wideband transistor  
Rev. 2 — 15 September 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143R plastic package.  
1.2 Features and benefits  
High power gain  
Low noise figure  
High transition frequency  
Gold metallization ensures excellent reliability  
1.3 Applications  
Intended for Radio Frequency (RF) front end applications in the GHz range, such as:  
analog and digital cellular telephones  
cordless telephones (Cordless Telephone (CT), Personal Communication  
Network (PCN), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), etc.)  
radar detectors  
pagers  
Satellite Antenna TeleVision (SATV) tuners  
repeater amplifiers in fiber-optic systems  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
open emitter  
Min  
Typ  
Max Unit  
VCBO  
VCEO  
IC  
collector-base voltage  
-
-
15  
V
collector-emitter voltage open base  
collector current (DC)  
-
-
6
V
-
-
35  
210  
200  
mA  
mW  
[1]  
Ptot  
total power dissipation  
DC current gain  
Tsp 90 C  
-
-
hFE  
IC = 15 mA; VCE = 3 V;  
60  
100  
Tj = 25 C  
CCBS  
fT  
collector-base  
capacitance  
VCB = 5 V; f = 1 MHz;  
emitter grounded  
-
-
0.26 0.4  
14  
pF  
transition frequency  
IC = 15 mA; VCE = 3 V;  
-
GHz  
f = 1 GHz; Tamb = 25 C  
 
 
 
 
 

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