是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.82 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOW NOISE |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 0.035 A |
基于收集器的最大容量: | 0.4 pF | 集电极-发射极最大电压: | 6 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 60 |
最高频带: | L BAND | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.21 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 14000 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BFG325W_15 | JMNIC |
获取价格 |
NPN 14 GHz wideband transistor | |
BFG325W_2015 | JMNIC |
获取价格 |
NPN 14 GHz wideband transistor | |
BFG325W-XR | NXP |
获取价格 |
NPN 14 GHz wideband transistor | |
BFG325W-XR-1 | NXP |
获取价格 |
NPN 14 GHz wideband transistor | |
BFG325-XR | NXP |
获取价格 |
RF Manual 16th edition | |
BFG33 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal | |
BFG33/X | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal | |
BFG33/XR | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal | |
BFG33/XRTRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal | |
BFG33/XRTRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |