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BFG35TRL13

更新时间: 2024-10-01 19:49:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 94K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

BFG35TRL13 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.2
最大集电极电流 (IC):0.15 A集电极-发射极最大电压:18 V
配置:SINGLE最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最小功率增益 (Gp):12 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4000 MHzBase Number Matches:1

BFG35TRL13 数据手册

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