是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.75 | 风险等级: | 5.2 |
最大集电极电流 (IC): | 0.15 A | 集电极-发射极最大电压: | 18 V |
配置: | SINGLE | 最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | NPN | 最小功率增益 (Gp): | 12 dB |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 4000 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BFG403W | NXP |
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NPN 17 GHz wideband transistor | |
BFG403W_15 | JMNIC |
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NPN 17 GHz wideband transistor | |
BFG403W_2015 | JMNIC |
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NPN 17 GHz wideband transistor | |
BFG410 | NXP |
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NPN 22 GHz wideband transistor | |
BFG410W | NXP |
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NPN 22 GHz wideband transistor | |
BFG410W,115 | NXP |
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BFG410W - NPN 22 GHz wideband transistor | |
BFG410W,135 | NXP |
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BFG410W - NPN 22 GHz wideband transistor | |
BFG410W_15 | JMNIC |
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NPN 22 GHz wideband transistor | |
BFG410W_2015 | JMNIC |
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NPN 22 GHz wideband transistor | |
BFG410WT/R | NXP |
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TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP RF Small Si |