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BFG480W

更新时间: 2024-09-30 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
16页 164K
描述
NPN wideband transistor

BFG480W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC PACKAGE-4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.79
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):0.25 A
集电极-发射极最大电压:4.5 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.36 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):21000 MHzBase Number Matches:1

BFG480W 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
BFG480W  
NPN wideband transistor  
1998 Oct 21  
Product specification  
Supersedes data of 1998 Jul 09  

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BFG480W,135 NXP

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