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BFG505

更新时间: 2024-09-30 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 163K
描述
NPN 9 GHz wideband transistors

BFG505 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-143
包装说明:PLASTIC, SOT-143B, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.74其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.018 A
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.15 W最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified参考标准:CECC
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):9000 MHzBase Number Matches:1

BFG505 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BFG505; BFG505/X  
NPN 9 GHz wideband transistors  
Product specification  
1998 Oct 02  
Supersedes data of September 1995  

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