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BFG425W

更新时间: 2024-09-30 22:39:35
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 115K
描述
NPN 25 GHz wideband transistor

BFG425W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC PACKAGE-4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:8.58其他特性:LOW NOISE
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):0.03 A
集电极-发射极最大电压:4.5 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.135 W最大功率耗散 (Abs):0.135 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):25000 MHz

BFG425W 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
BFG425W  
NPN 25 GHz wideband transistor  
Product specification  
1998 Mar 11  
Supersedes data of 1997 Oct 28  
File under Discrete Semiconductors, SC14  

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