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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC, CMPAK-4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | EMITTER | 最大集电极电流 (IC)： | 0.012 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 4.5 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.054 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.054 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 22000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BFU610F,115 | NXP |
类似代替  |
BFU610F - NPN wideband silicon RF transistor DFP 4-Pin |
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| BFG410W | NXP |
功能相似 |
NPN 22 GHz wideband transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFG410W,135 | NXP |
获取价格 |
BFG410W - NPN 22 GHz wideband transistor |
|
| BFG410W_15 | JMNIC |
获取价格 |
NPN 22 GHz wideband transistor |
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| BFG410W_2015 | JMNIC |
获取价格 |
NPN 22 GHz wideband transistor |
|
| BFG410WT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP RF Small Si |
|
| BFG424F | NXP |
获取价格 |
NPN 25 GHz wideband transistor |
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| BFG424F,115 | NXP |
获取价格 |
BFG424F - NPN 25 GHz wideband transistor DFP 4-Pin |
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| BFG424F_15 | JMNIC |
获取价格 |
NPN 25 GHz wideband transistor |
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| BFG424F_2015 | JMNIC |
获取价格 |
NPN 25 GHz wideband transistor |
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| BFG424W | NXP |
获取价格 |
NPN 25 GHz wideband transistor |
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| BFG424W,115 | NXP |
获取价格 |
BFG424W - NPN 25 GHz wideband transistor |
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