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BFG31TRL13 PDF预览

BFG31TRL13

更新时间: 2024-10-01 19:49:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 94K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

BFG31TRL13 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.76
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最小功率增益 (Gp):12 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):5000 MHz
Base Number Matches:1

BFG31TRL13 数据手册

 浏览型号BFG31TRL13的Datasheet PDF文件第2页 

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