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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | EMITTER |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 基于收集器的最大容量： | 3 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 4.5 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 18000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFG235 | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna |
|
| BFG235E6327 | INFINEON |
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RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
|
| BFG235-E6433 | INFINEON |
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Transistor |
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| BFG25 | NXP |
获取价格 |
NPN 5 GHz wideband transistor |
|
| BFG250W | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SOT-343N, 4 PIN, BIP RF S |
|
| BFG250W/X | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SOT-343N, 4 PIN, BIP RF S |
|
| BFG25A | NXP |
获取价格 |
NPN 5 GHz wideband transistor |
|
| BFG25A/X | NXP |
获取价格 |
NPN 5 GHz wideband transistor |
|
| BFG25A/X,215 | NXP |
获取价格 |
BFG25A - NPN 5 GHz wideband transistor SOT-143 4-Pin |
|
| BFG25A/X-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP RF Small Si |
|
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