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BFG235E6327

更新时间： 2024-02-26 14:42:50

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英飞凌 - INFINEON		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	58K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN

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BFG235E6327 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	其他特性：	BUILT IN EMITTER BALLASTING RESISTOR
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
基于收集器的最大容量：	3.6 pF	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5500 MHz
Base Number Matches：	1

BFG235E6327 数据手册

BFG235

NPN Silicon RF Transistor*

• For low-distortion broadband output amplifier

stages in antenna and telecommunication

systems up to 2 GHz at collector currents from

120 mA to 250 mA

• Power amplifiers for DECT and PCN systems

• Integrated emitter ballast resistor

• f = 5.5 GHz

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

* Short term description

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking

Pin Configuration

Package

SOT223

BFG235

1 = E 2 = B 3 = E 4 = C -

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

300

Base current

Total power dissipation

tot

T ≤ 80°C

150

°C

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

²T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

2007-04-20

12 3 4 5 6

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