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BFG235-E6433

更新时间： 2024-01-28 12:41:57

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Transistor

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BFG235-E6433 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	75
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	4000 MHz
Base Number Matches：	1

BFG235-E6433 数据手册

BFG235

NPN Silicon RF Transistor*

• For low-distortion broadband output amplifier

stages in antenna and telecommunication

systems up to 2 GHz at collector currents from

120 mA to 250 mA

• Power amplifiers for DECT and PCN systems

• Integrated emitter ballast resistor

• f = 5.5 GHz

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

* Short term description

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking

Pin Configuration

Package

SOT223

BFG235

1 = E 2 = B 3 = E 4 = C -

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

300

Base current

Total power dissipation

tot

T ≤ 80°C

150

°C

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

²T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

2007-04-20

12 3 4 5 6

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