BFG235

更新时间： 2024-02-28 21:25:53

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描述
NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications)

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BFG235 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT IN EMITTER BALLASTING RESISTOR	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BFG235 数据手册

BFG 235

NPN Silicon RF Transistor

• For low-distortion broadband output amplifier

stages in antenna and telecommunications

systems up to 2 GHz at collector currents from

120mA to 250mA

• Power amplifiers for DECT and PCN systems

• Integrated emitter ballast resistor

• f = 5.5 GHz

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration

Package

BFG 235

BFG235 Q62702-F1432

1 = E 2 = B 3 = E 4 = C SOT-223

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

300

°C

Base current

Total power dissipation

tot

≤

80 °C

2000

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

150

- 65 ... + 150

stg

Thermal Resistance

≤

Junction - soldering point

thJS

K/W

1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.

Semiconductor Group

Dec-13-1996

12 3 4 5 6

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BFG235 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BFG19SE6327	INFINEON	类似代替	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
BFP540	INFINEON	类似代替	NPN Silicon RF Transistor
BFP540ESD	INFINEON	功能相似	NPN Silicon RF Transistor

与BFG235相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BFG235E6327	INFINEON	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN
BFG235-E6433	INFINEON	获取价格	Transistor
BFG25	NXP	获取价格	NPN 5 GHz wideband transistor
BFG250W	NXP	获取价格	TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SOT-343N, 4 PIN, BIP RF S
BFG250W/X	NXP	获取价格	TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SOT-343N, 4 PIN, BIP RF S
BFG25A	NXP	获取价格	NPN 5 GHz wideband transistor
BFG25A/X	NXP	获取价格	NPN 5 GHz wideband transistor
BFG25A/X,215	NXP	获取价格	BFG25A - NPN 5 GHz wideband transistor SOT-143 4-Pin
BFG25A/X-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP RF Small Si
BFG25A/XT/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP RF Small Si

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