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BFP540

更新时间： 2024-01-15 17:57:14
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 161K
描述
NPN Silicon RF Transistor

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BFP540 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
其他特性：ESD PROTECTED, LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.08 A
基于收集器的最大容量：0.26 pF集电极-发射极最大电压：4.5 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP RF Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30000 MHz

BFP540 数据手册

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BFP540  
NPN Silicon RF Transistor  
3
4
• For highest gain low noise amplifier  
at 1.8 GHz  
• Outstanding G = 21 dB  
ms  
2
Noise Figure F = 0.9 dB  
• Gold metallization for high reliability  
• SIEGET 45 - Line  
VPS05605  
1
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BFP540  
Marking  
ATs  
Pin Configuration  
1=B 2=E 3=C 4=E  
Package  
SOT343  
-
-
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
4.5  
14  
14  
1
80  
8
250  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
mA  
mW  
°C  
I
I
C
Base current  
Total power dissipation  
B
1)  
P
tot  
T ≤ 77°C  
S
150  
-65 ... 150  
-65 ... 150  
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
T
T
j
A
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
≤ 290  
Unit  
K/W  
2)  
R
thJS  
1
2
T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb  
S
For calculation of R  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
thJA  
Jan-28-2004  
1
1234567

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BFP540 替代型号

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