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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> BFP620FE7764
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BFP620FE7764

更新时间： 2024-09-28 22:48:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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6页 189K
描述
NPN Silicon Germanium RF Transistor

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BFP620FE7764 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.65Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE, HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC)：0.08 A
基于收集器的最大容量：0.2 pF集电极-发射极最大电压：2.3 V
配置：SINGLE最高频带：C BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-F4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON GERMANIUM标称过渡频率 (fT)：65000 MHz
Base Number Matches：1

BFP620FE7764 数据手册

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BFP620F E7764  
NPN Silicon Germanium RF Transistor  
Preliminary data  
XYs  
• High gain low noise RF transistor  
• Small package 1.4 x 0.8 x 0.59 mm  
• Outstanding noise figure F = 0.7 dB at 1.8 GHz  
Outstanding noise figure F = 1.3 dB at 6 GHz  
• Maximum stable gain  
3
2
4
1
TSFP-4  
G
G
= 21 dB at 1.8 GHz  
= 10 dB at 6 GHz  
ms  
ma  
t
o
p
v
i
e
w
4
3
• Gold metallization for extra high reliability  
A
C
s
1
2
d
i
r
e
c
t
i
o
n
o
f
u
n
r
e
e
l
i
n
g
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
Marking  
Pin Configuration  
1=B 2=E 3=C 4=E  
Package  
TSFP-4  
BFP620F E7764 R2s  
-
-
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
2.3  
7.5  
7.5  
1.2  
80  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
mA  
mW  
°C  
I
I
C
3
185  
Base current  
Total power dissipation  
B
1)  
P
tot  
T ≤ 96°C  
S
150  
-65 ... 150  
-65 ... 150  
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
T
T
j
A
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
≤ 290  
Unit  
K/W  
2)  
R
thJS  
1
T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb  
S
2
For calculation of R  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
thJA  
Oct-20-2003  
1
123456

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