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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.58 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 4.1 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | X BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON GERMANIUM CARBON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 46000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP640FH6327XTSA1 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, |
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| BFP640H6327 | INFINEON |
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NPN Silicon Germanium RF Transistor |
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| BFP640H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, |
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| BFP640H6433 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, |
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| BFP650 | INFINEON |
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NPN Silicon Germanium RF Transistor |
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| BFP650_10 | INFINEON |
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High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor |
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| BFP650E6327 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Germanium RF Transistor |
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| BFP650-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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| BFP650-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor |
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| BFP650F | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon Germanium RF Transistor |
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