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BFP720

更新时间: 2024-01-29 23:38:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
26页 1827K
描述
C Heterojunction Wideband RF Bipolar Transistor

BFP720 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.63
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):0.025 A
集电极-发射极最大电压:4 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):160最高频带:X BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.08 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP RF Small Signal
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON GERMANIUM CARBON
标称过渡频率 (fT):45000 MHzBase Number Matches:1

BFP720 数据手册

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BFP720  
SiGe:C Heterojunction Wideband RF Bipolar Transistor  
Data Sheet  
Revision 1.0, 2009-01-20  
RF & Protection Devices  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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