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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 1.58 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.14 pF | 集电极-发射极最大电压： | 4 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | X BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT)： | 42000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP750 | INFINEON |
获取价格 |
High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor |
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| BFP750-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 120A I(C), 1-Element, Silicon Germanium, NPN |
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| BFP750-E6433 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 120A I(C), 1-Element, Silicon Germanium, NPN |
|
| BFP750H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.12A I(C), 1-Element, X Band, Silicon Germanium Carbo |
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| BFP760 | INFINEON |
获取价格 |
Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor |
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| BFP760_15 | INFINEON |
获取价格 |
Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor |
|
| BFP760H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| BFP780 | INFINEON |
获取价格 |
200 mW High Gain RF Driver Amplifier |
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| BFP780_15 | INFINEON |
获取价格 |
200 mW High Gain RF Driver Amplifier |
|
| BFP81 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
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