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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.78 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 120 A | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| 元件数量： | 1 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W | 子类别： | BIP RF Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 晶体管元件材料： | SILICON GERMANIUM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP750H6327XTSA1 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.12A I(C), 1-Element, X Band, Silicon Germanium Carbo |
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| BFP760 | INFINEON |
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Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor |
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| BFP760_15 | INFINEON |
获取价格 |
Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor |
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| BFP760H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, |
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| BFP780 | INFINEON |
获取价格 |
200 mW High Gain RF Driver Amplifier |
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| BFP780_15 | INFINEON |
获取价格 |
200 mW High Gain RF Driver Amplifier |
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| BFP81 | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFP81 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low-noise amplifiers up to 2GHz at collector currents from |
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| BFP81_08 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
|
| BFP81-GS08 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC P |
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