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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 16 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 5800 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP81-GS18 | VISHAY |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC P |
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| BFP840ESD | INFINEON |
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BFP840ESD 是专为高性能 5 GHz 频带应用设计的异质结双极晶体管 (HBT)。 |
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| BFP840ESDH6327XTSA1 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, |
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| BFP840FESD | INFINEON |
获取价格 |
BFP840FESD 是一款分立射频异质结双极晶体管 (HBT)，集成静电放电保护，适用于 |
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| BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, KA Band, Silicon Germanium Car |
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| BFP842ESD | INFINEON |
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BFP842ESD 是高性能射频异质结双极晶体管 (HBT)，集成静电放电保护，适用于 2 |
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| BFP843 | INFINEON |
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BFP843 是一种低噪声宽带预匹配射频异质结双极晶体管 (HBT)。 |
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| BFP843F | INFINEON |
获取价格 |
BFP843F 是一种低噪声宽带预匹配异质结双极晶体管 (HBT)。 |
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| BFP90A | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| BFP91A | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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