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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 1.63 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.035 A | 集电极-发射极最大电压： | 2.25 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFP840FESD | INFINEON |
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BFP840FESD 是一款分立射频异质结双极晶体管 (HBT)，集成静电放电保护，适用于 |
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| BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, KA Band, Silicon Germanium Car |
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| BFP842ESD | INFINEON |
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BFP842ESD 是高性能射频异质结双极晶体管 (HBT)，集成静电放电保护，适用于 2 |
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| BFP843 | INFINEON |
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BFP843 是一种低噪声宽带预匹配射频异质结双极晶体管 (HBT)。 |
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| BFP843F | INFINEON |
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BFP843F 是一种低噪声宽带预匹配异质结双极晶体管 (HBT)。 |
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| BFP90A | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| BFP91A | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| BFP91A,112 | PHILIPS |
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Transistor |
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| BFP91A,115 | PHILIPS |
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Transistor |
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| BFP92 | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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